近日，江苏大学葛道晗研究团队通过化学气相沉积法和干法刻蚀制备出一种具有一定深度的氮化硅衬底，并采用湿法转移将石墨烯转移到不同形貌的衬底上，得到石墨烯/氮化硅复合材料。同时借助拉曼光谱、原子力显微镜等手段，研究了不同形貌的氮化硅衬底对该复合材料性能的影响。相关论文以题为“Effect of patterned silicon nitride substrate on Raman scattering and stress of graphene”发表在Materials and Design。
在这项研究中，通过蚀刻工艺将光掩模上的图案（孔和沟槽）转移到氮化硅（Si3N4）衬底上，使用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对具有不同图案的Si3N4进行了表征，一种是晶格常数3μm和直径1.5μm点的三角形阵列，另一种是宽2μm和间距4μm的平行沟槽，两种图案的深度均约为500 nm。AFM测量得到孔底部的Ra为13.99nm，而沟槽底部的Ra为7.12nm，表明沟槽的底部更平滑。采用湿法转移将石墨烯转移到两种图案化的Si3N4衬底上，SEM表征显示石墨烯完全覆盖了衬底，得到孔阵列石墨烯（H-石墨烯）和沟槽阵列石墨烯（T-石墨烯）。石墨烯呈现出与图案化的Si3N4衬底一致的表面形态，并且沉积到了孔和沟槽中，而不是悬浮在孔和沟槽上。
