当前，我国在碳基领域屡屡迎来突破。在2020年，中科院上海微系统所亮出全球首个可量产碳基晶圆——8英寸石墨烯单晶晶圆。这为我国大规模量产碳基芯片，带来了可能性。
相较于当前主流的硅基材料，单层石墨烯的厚度只有0.27nm，发展潜力更大。石墨烯晶体结构的电子迁移率高，电子运行速度是硅芯片的100-1000倍，达1/300光速。
石墨烯还能制成柔性薄膜，由此未来电子产品或许能够弯折，实现更多的玩法。
石墨烯的种种优势，让我国在碳基芯片领域的突破，有实现“弯道超车”的希望。
因此，不少人希望中芯国际能与中科院强强联手，共同攻克石墨烯碳基芯片。对此，日前有人在中芯国际客户互动平台上，对中芯国际与中科院合作问题进行了提问。
中芯国际辟谣称，公司目前业务未涉及石墨烯晶圆领域。而且，中芯国际还表示，现阶段借助石墨烯晶圆实现“弯道超车”的可能性不高。
并且中芯国际还回答道，碳基芯片的制程难度更高，有了碳基芯片依然离不开EUV光刻机。
目前，中国碳基芯片研究虽然在全球排名前列，但是仍停留在实验室阶段。从实验室到正式投入使用之间，有着巨大的鸿沟。
碳基芯片的优势很多，但也有诸多的难题仍需攻克。譬如，碳晶体管的导热性、电子活泼型高，增大了控制电阻、电流的难度。同时，碳晶体管的内部结构不稳定性高、碳纳米管提纯难度大等等。
目前，碳基芯片替代硅基芯片还没有眉目，轻易投入一个还有大片未知的领域，显然十分不明智。当前，碳基芯片无论是市场还是技术，都不成熟。
作为企业的中芯国际自然将盈利放在首位，不会盲目跟进。
不过，尽管在碳基芯片面前有着众多的难题，但各国专家对其仍十分看好。中国碳基芯片领军人物、中科院院士彭练矛表示，碳基电子为我国实现“直道超车”带来了可能性，有望成为国之利器。
