目前最为先进的芯片工艺制程已经达到了5nm，而全球半导体代加工双雄的三星和台积电在3nm方面你追我赶，互不相让，但最迟也会在明年进行量产，美国更是一骑绝尘，已经宣布进入2nm，欧盟和日本也是全力向美国追赶。
但是随着制程工艺不断地提升，性能却是没有显著的提升效果，这就让芯片材料专家们意识到，已经快到了硅基芯片的极限了，摩尔定律的极限就要应验了。只有尽快找到代替材料，才能迎来更大的突破和进展。
于是，全球开始对新的材料进行苦苦研究和寻找，可以说，谁先找到新的代替材料，谁就占据了发展先机。所以，危机感和压迫感都促使着全球各国奋力竞争。
云南大学攻克关键技术立大功，领先台积电！
随着全球不断地寻找研究新材料，成果也是陆续展现，像中科院推出石墨烯晶圆，台积电也是推出了半金属铋，这些材料虽说较为合适，但是仍然有一些缺陷，使之无法成为最合适替代材料。
所以，为了解决这些缺陷，我国的各地高校以及科研机构加强科研力度。最终这个难题被我国的云南大学所攻克，云南大学的材料与能源学院突破硫化铂材料瓶颈，成功解决了石墨烯材料的缺陷，即石墨烯材料硫化铂合成的大面积均匀少层的问题以及硫化铂熔点、光电等物理性能问题。
有众多朋友可能不知道硫化铂为何物，笔者给大家科普一下。硫化铂属于类石墨烯领域，是可用于半导体领域芯片制程当中的化合物原材料。硫化铂的性能表现要优于石墨烯，在具备大容量和高架空性的同时，还拥有优异的光电磁等性能，比石墨烯更具稳定性、透光性，杂质也少。可以说是完全碾压石墨烯的，更何况硫化铂还具备较宽的能量间隙和高可控性，这样看来，硫化铂是目前最为合适的替代材料。
此外，云南大学材料与能源学院还解决了二维材料面积狭窄，不易转移的难题，为硫化铂以后的投产和商用提供了便利，可以说云南大学立了大功，为我国的芯片领域发展提供了重要支持。
在云南大学取得硫化铂的重大技术突破之前，台积电在研发1nm制程技术时，采用了半金属铋，表现也是可圈可点，能够暂时帮助台积电缓解摩尔定律极限的难题，但是并非长久之计，因为成本高，效率反而低，性能较差，所以有效性差。对比于硫化铂，完全是相形见绌，没有可比性了。
新型材料或将推动国产芯片跨越式发展！
目前，只有我国找到了最为合适替代材料，可谓是已经领先全球了，相信只要在硫化铂方面加大研发力度，并进行投产，中国的芯片领域就会进入高速发展时期，赶上国外的芯片技术水平，甚至是超越也是极有可能的。
以前我国的芯片领域发展缓慢，技术落后，以至于处处受制于国外，苦不堪言。中兴和华为的惨痛经历就是我国芯片领域的现实写照，因此我国竭尽全力地发展芯片领域，就是为了避免重蹈覆辙。
我国已经在芯片领域吃够了技术落后的苦，受到了太多的国外制裁之痛，然而，此次的云南大学材料与能源学院的突破性进展为我国的芯片领域的发展带来了福音。如果硫化铂投产成功，那么我国就可以实现自主生产高端制程芯片的目标了，也就不用受制于人了。
