1) 他们采用分子束外延生长方法制备出了多种大面积、高质量的石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料，如：外延石墨烯 [Chin. Phys. 16, 3151 (2007)，Adv. Mater. 21, 2777 (2009)]、三分之一氢化石墨烯 [Adv. Mater. 30, 1801838 (2018)]、硅烯 [Nano Lett. 13, 685 (2013)，Nano Lett. 17, 1161 (2017)]、锗烯 [Nano Lett. 13, 4671 (2013)]、二硒化铂与铜硒二维原子晶体 [Nano Lett. 15, 4013 (2015), Nat. Mater., 16, 717 (2017)] 等;
2) 实现了石墨烯的多种单质元素的插层 [Appl. Phys. Lett. 100, 093101 (2012), Appl. Phys. Lett. 99, 163107 (2011), Nano Res. 11, 3722-3729 (2018)];
3) 揭示了单晶表面上石墨烯插层的普适机制 [J. Am. Chem. Soc. 137(22), 7099 (2015)]；
4) 构建空气中稳定的硅烯/石墨烯异质结 [Adv. Mater. 30(49), 1804650 (2018)]等。
近期，不同堆垛方式的双层石墨烯由于其丰富奇异的物理性质, 备受关注。其中，AB堆垛的双层石墨烯不仅分享了单层石墨烯的优异性质，而且在破坏两层石墨烯反演对称性的情况下可诱导出非零能隙，促进了它在电子学及光电子学器件方面的应用。双层石墨烯中能隙的打开可通过外加电场、应力、或者在两层石墨烯表面吸附原子/分子进而构建电势差等方式实现。理论计算表明，将两种不同的方式结合起来，可实现更大的能隙。因此，通过不同的方式协同实现双层石墨烯中较大能隙的打开对石墨烯的应用具有十分重要的意义。
最近, 该研究团队的郭辉博士等人在大面积、高质量AB堆垛双层石墨烯的可控制备及其能隙调控方面取得了新的研究进展。他们首先在Ru(0001)表面实现了厘米尺寸、单晶、AB堆垛双层石墨烯的可控生长[2D Mater. 6(4), 045044 (2019)]。
