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深圳先进院:氟化石墨烯/聚酰亚胺纳米复合材料用于高级电子包装

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放大字体  缩小字体    发布日期:2020-11-17  浏览次数:182
核心提示:对于扇出型晶圆级封装(FO-WLP)的高级电子封装,需要低介电常数和低耗散因数,优异的疏水性,出色的热和机械性能以及良好的光学性能。FG纳米片具有较高的表面积和一些含氧官能团,并且具有单独的石墨化平面结构。
  对于扇出型晶圆级封装(FO-WLP)的高级电子封装,需要低介电常数和低耗散因数,优异的疏水性,出色的热和机械性能以及良好的光学性能。本文,中国科学院深圳先进技术研究院Fan Zhang 等研究人员在《J Appl Polym Sci》期刊发表名为“Fluorinated graphene/polyimide nanocomposites for advanced electronic packaging applications”的论文,研究介绍了一种有效的制备新型氟化石墨烯/聚酰亚胺(FG / PI)纳米复合薄膜的方法。
 
  FG纳米片具有较高的表面积和一些含氧官能团,并且具有单独的石墨化平面结构,因此在PI基质中表现出出色的分散性。此外,在控制量的FG的情况下,研究了添加FG对介电,光学,机械,热性能以及薄膜疏水性的影响。介电常数和损耗可低至2.64(在10 6Hz)和PI176-0.5wt%FG的0.00176。随着FG载荷的增加,热稳定性(T 5= 514°C)和机械性能(拉伸模量= 2.11GPa,抗拉强度= 93.23 MPa,断裂伸长率= 11.60%)已得到成功改善。此外,接触角从83°增加到92°,显示出优异的疏水性,这对于FO-WLP是必不可少的。此外,掺入FG还证明了在550nm处具有88%的透射率的优异的光学性能。因此,以优异的综合性能,所制得的FG / PI膜在微电子领域,尤其是在FO-WLP中具有广泛的应用。
 
  本文展示了一种制备介电性能,热力学性能,疏水性能和透明性优异的FG / PI复合膜的简便方法。很少有几层FG纳米片成功剥落,并显示出与PI基质的优异相容性和分散性,这暗示了与PI分子链的界面相互作用。介电常数从纯PI膜的2.88大大降低到PI-0.5wt%FG纳米复合膜的2.64。在PI基质中掺入FG纳米片还改善了薄膜的热性能和疏水性。PI0.5wt%FG复合膜的T 5514℃的接触角和约92°的接触角。同时,具有0.5wt%的FG纳米片的纳米复合膜在550nm的特定波长下仍保持88%的透光率,证明了优异的光学透明性。所制备的纳米复合膜性能的全面提高促使其成为微电子领域中ILD材料的潜在候选者。
 
 
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